近日，英特爾公布了 2022 年第三季度財(cái)報(bào)。在財(cái)報(bào)中，英特爾正式披露了其制程工藝的最新進(jìn)展。
Intel 4：正在推進(jìn)量產(chǎn)；預(yù)計(jì)在第四季度隨 Meteor Lake 處理器的生產(chǎn)過程流片
Intel 3：仍在按計(jì)劃推進(jìn)； Intel 3 和 Intel 4 是首批采用 EUV 極紫外光刻技術(shù)的制程節(jié)點(diǎn)，在晶體管的每瓦性能和計(jì)算密度方面將實(shí)現(xiàn)重大提升
Intel 20A 和 18A：第一批內(nèi)部測試芯片已流片；正在為一家主要的潛在代工客戶在晶圓廠中進(jìn)行內(nèi)部測試芯片的生產(chǎn)
對于熟悉半導(dǎo)體行業(yè)的朋友可能都知道，Intel 20A 工藝大致處于業(yè)界 2nm 的水平。而其它兩家業(yè)界先進(jìn)的芯片制造廠商三星和臺(tái)積電目前的焦點(diǎn)還放在 3nm 工藝，2nm 工藝還沒有明顯的進(jìn)展。例如三星只是公布了 2nm 的一些技術(shù)方案，臺(tái)積電的 3nm 工藝甚至有延期、推遲的消息。此時(shí)英特爾公布了 Intel 20A 第一批內(nèi)部測試芯片已流片的消息無疑會(huì)對其它兩家造成一定的影響，那么英特爾能靠“Intel 20A”工藝重回芯片制造的霸主地位嗎？
Intel 20A 工藝
雖然 Intel 20A 工藝大致處于業(yè)界 2nm 的水平，但目前業(yè)界即使是同一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)（例如都是 2nm 工藝），不同廠商之間的差距還是很大的。而且英特爾的工藝特點(diǎn)與其它兩家又有較大的差距，因此將“Intel 20A”直接理解成 2nm 工藝還是很不準(zhǔn)確的。
目前其它兩家的 2nm 工藝還沒有明顯的進(jìn)展，不過還是可以結(jié)合工藝路線圖等資料進(jìn)行粗略推算。
在晶體管密度方面：
三星 2GAE（2nm） < Intel 20A < 臺(tái)積電 N2（2nm）< Intel 18A
性能方面：
三星 2GAE（2nm） < 臺(tái)積電 N2（2nm）< Intel 20A < Intel 18A
PPA 方面：
三星 2GAE（2nm） < 臺(tái)積電 N2（2nm）< Intel 20A < Intel 18A
注：PPA 是 Performance（性能）、Power（功耗）、Area（尺寸）三者的縮寫，是對芯片制造工藝綜合表現(xiàn)的一種評價(jià)。
Intel 20A 是不是“王炸”要看發(fā)布時(shí)間
“Intel 20A”工藝已經(jīng)開始了內(nèi)部測試流片，但距離全面量產(chǎn)還是有距離的。所以 Intel 20A 能否成為“王炸”，一方面要看 Intel 20A 的量產(chǎn)時(shí)間，另一方面要看臺(tái)積電和三星 2nm 工藝的量產(chǎn)時(shí)間。
不過目前看來英特爾的進(jìn)度還是比較順利的，所以我們假定 Intel 20A 如期發(fā)布，并基于此假定進(jìn)行分析。
根據(jù)目前的消息，Intel 20A 工藝預(yù)計(jì) 2024 年量產(chǎn)，而臺(tái)積電和三星的 2nm 工藝量產(chǎn)預(yù)計(jì)在 2025 年。所以在 2024 年，Intel 20A 的主要競爭對手是三星 3GAP 和臺(tái)積電 N3E 或者 N3P。如果是這樣的局勢，Intel 20A 工藝相較于其它兩家 3nm 工藝幾乎是完勝的。
在晶體管密度方面：
三星 3GAP（3nm） < 臺(tái)積電 N3E（3nm） = 臺(tái)積電 N3P（3nm） < Intel 20A
性能方面：
三星 3GAP（3nm） < 臺(tái)積電 N3E（3nm） < 臺(tái)積電 N3P（3nm） < Intel 20A
PPA 方面：
三星 3GAP（3nm） < 臺(tái)積電 N3E（3nm） < 臺(tái)積電 N3P（3nm） < Intel 20A
結(jié)語
1、如果英特爾、三星、臺(tái)積電的 2nm 工藝都如期發(fā)布，那么 Intel 20A 就是“王炸”，英特爾的工藝會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)保持“世界第一”的位置。
2、英特爾 Intel 20A 雖然只是“內(nèi)部測試芯片已流片”，但相較其它兩家的 2nm 工藝進(jìn)展還是比較快的。
3、在 2nm 這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電和英特爾都是首次使用新的晶體管結(jié)構(gòu)（英特爾為 RibbonFET、臺(tái)積電為 NanoSheet），因此理論上相較上代工藝會(huì)有較大的提升。
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