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IT之家 12 月 13 日消息，至訊創(chuàng)新今日宣布，其自主研發(fā)的國內(nèi)首款中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片研制成功，預計將于明年年初全面投放市場。
至訊創(chuàng)新表示，這是國內(nèi)首款全自研、運用先進工藝的中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量，提供 1.8V 和 3.3V 電壓，并采用串行接口 SPI 和 WSON 封裝。
據(jù)介紹，其可滿足消費級產(chǎn)品對可靠性的需求，還可達到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應用場景對擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。至訊創(chuàng)新數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品實現(xiàn)了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。
IT之家了解到，官方信息顯示，至訊創(chuàng)新成立于 2021 年 10 月，總部位于江蘇無錫，在上海、深圳、香港等地均已設立分支機構(gòu)。目前，至訊創(chuàng)新正進行 A 輪融資。
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