IT之家 12 月 22 日消息，據(jù) DIGITIMES 報(bào)道，盡管 2022 年消費(fèi)電子終端市場(chǎng)充斥庫(kù)存調(diào)整等不確定性，但電力電子半導(dǎo)體需求在未來車、服務(wù)器領(lǐng)域的應(yīng)用卻是愈來愈廣，持續(xù)推動(dòng)第三類半導(dǎo)體如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等功率元件需求。
IDM 龍頭包括羅姆（Rohm）、安森美（Onsemi）、英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（STM）、Wolfspeed 等，將把化合物半導(dǎo)體戰(zhàn)線從主流的 6 英寸拉往 8 英寸晶圓廠，追求成本、產(chǎn)能、效能的新一波戰(zhàn)火正逐漸醞釀中。
近日各大 IDM 業(yè)者化合物半導(dǎo)體陸續(xù)打入車用、服務(wù)器沖電領(lǐng)域。如羅姆第四代 SiC MOSFET 與閘極驅(qū)動(dòng) IC，正式打入日本車用供應(yīng)鏈如日立安斯泰莫，應(yīng)用于電動(dòng)車（EV）逆變器。
事實(shí)上，羅姆 2010 年開始就已量產(chǎn) SiC MOSFET，相較于主流的矽基 IGBT，電耗可減少 6%，有助于 EV 續(xù)行里程。
相關(guān)業(yè)者表示，車用功率半導(dǎo)體目前仍是相對(duì)供需吃緊的部分，也使得臺(tái)系二極管廠無不積極提升車用、工控產(chǎn)品比重。臺(tái)系功率元件業(yè)者包括強(qiáng)茂、臺(tái)半、德微等。
業(yè)者表示，E 寬能隙（WBG）的第三類半導(dǎo)體因?yàn)楦吖β拭芏忍匦?，有助于建?gòu)更高效能、體積更小更輕的 EV 電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)，SiC 最主要的應(yīng)用范疇，就在核心的車用逆變器。
IT之家了解到，至于 GaN 充電元件更可從成熟的矽基制程出發(fā)，矽基氮化鎵（GaN-on-Si）將是最有機(jī)會(huì)快速放大到 8 英寸甚至 12 英寸的技術(shù)，除 IDM 龍頭大舉進(jìn)軍外，臺(tái)系晶圓代工廠世界先進(jìn) GaN-on-QST 技術(shù)也已逐步完備。
IC 代理業(yè)者表示，公有云、私有云快速成長(zhǎng)，以及數(shù)據(jù)中心大量的建設(shè)，對(duì)服務(wù)器電源性能有更高需求，具有高功率密度的 GaN 元件成為服務(wù)器電源首選方案之一。
如安森美攜手 IC 代理龍頭大聯(lián)大推出 500W 服務(wù)器電源方案，其中就是采用 GaN 元件。
上游磊芯片大廠 IQE 8 英寸化合物半導(dǎo)體磊芯片已經(jīng)量產(chǎn)，后續(xù)不排除更往 12 英寸推進(jìn)，IQECEOAmerico Lemos 認(rèn)為，「化合物半導(dǎo)體將從利基走向主流」。
GaN、SiC 同步往 8 英寸推進(jìn)已經(jīng)是未來趨勢(shì)，在各界關(guān)注的 8 英寸廠布局，羅姆、Wolfspeed、II-VI，意法等都積極進(jìn)行中。值得一提的是，觀察供應(yīng)鏈與終端系統(tǒng)廠看法，各界通常都還是會(huì)問及「價(jià)格策略」，何時(shí)能夠達(dá)到與矽基半導(dǎo)體同等的性價(jià)比。
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