IT之家 2 月 9 日消息，三星印度半導體宣布，三星半導體印度研究院（SSIR）與印度科學學院（IISc）將攜手推動印度的半導體研發(fā)。SSIR 和 IISc 之間的合作將有助于促進片上靜電釋放 (ESD) 保護領(lǐng)域的研究。官方公告圍繞構(gòu)建 ESD 器件（靜電阻抗器）以保護高級 IC 和 SoC 產(chǎn)品中的超高速串行接口展開。
三星 SSIR 表示，與 IISc 的合作將有助于促進半導體創(chuàng)新和開發(fā) ESD 知識。目標是通過研究生級別的培訓計劃加強能力建設(shè)，為學生提供行業(yè)實習機會，并鼓勵年輕研究人員創(chuàng)業(yè)。
與三星半導體印度研究院 (SSIR) 和印度科學學院 (IISc) 之間的協(xié)議相關(guān)的研究將由 IISc 電子系統(tǒng)工程系 (DESE) 的 Mayank Shrivastava 教授小組施行。IT之家了解到，此次合作的主要目的是減輕由 ESD 故障引起的 IC 和 SoC 芯片故障和返工。
加強研發(fā)，為可靠、低功耗和高速運行的 IC 和 SOoC 構(gòu)建 ESD 將是此次合作的議程。IISc 是世界上為數(shù)不多的從事 ESD 器件研究的機構(gòu)之一。
MSDLab 負責人 Mayank Shrivastava 教授說：“我們一直在與全球半導體行業(yè)就先進的納米電子技術(shù)進行廣泛合作，包括針對先進 SoC 的 ESD 可靠性威脅的解決方案。我們對 ESD 保護器件進行了基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究，重點是在一系列技術(shù)節(jié)點上為半導體行業(yè)創(chuàng)造實用的解決方案?！?/p>
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