IT之家 2 月 20 日消息，IT之家從中國科學技術大學官方公眾號獲悉，該校徐集賢教授團隊與合作者，針對鈣鈦礦太陽能電池中長期普遍存在的“鈍化 — 傳輸”矛盾問題，提出了一種命名為 PIC（多孔絕緣接觸）的新型結構和突破方案，實現(xiàn)了 p-i-n 反式結構器件穩(wěn)態(tài)認證效率的世界紀錄，并在多種基底和鈣鈦礦組分中展現(xiàn)了普遍的適用性。相關研究成果 17 日發(fā)表在《科學》雜志上。
“鈍化-傳輸”矛盾問題在光電子器件中（例如太陽電池、發(fā)光二極管、光電探測器等）普遍存在。為了減少半導體表面的非輻射復合損失，需要覆蓋鈍化層來減少半導體表面缺陷密度。這些鈍化材料的導電率一般很低，增加其厚度會增強鈍化效果，但同時會導致電流傳輸受限。因為這個矛盾，目前這些超薄鈍化層的厚度需要極為精確的控制在幾個甚至一個納米內（nm, 十億分之一米），載流子通過遂穿效應等厚度敏感方式進行傳輸，對于低成本的大面積生產不利。
鈣鈦礦太陽電池技術近些年引起了廣泛關注，其主要器件類型包括鈣鈦礦單結、晶硅-鈣鈦礦疊層、全鈣鈦礦疊層電池等，有望在傳統(tǒng)晶硅太陽電池之外提供新的低成本高效率光伏方案。鈣鈦礦電池中，異質結接觸問題帶來的非輻射復合損失已經被普遍證明是主要的性能限制因素。由于“鈍化-傳輸”矛盾問題的存在，超薄鈍化層納米級別的厚度變化都會引起填充因子和電流密度的降低。因此各類鈣鈦礦器件都亟需一種新型的接觸結構，能夠在提高性能的同時大幅減少鈍化厚度的敏感性。
團隊經過長期思考和大量實驗探索，提煉出這種 PIC 接觸結構方案（圖 1）。其主要思想是不依賴傳統(tǒng)納米級鈍化層和遂穿傳輸，而直接使用百納米級厚度的多孔絕緣層，迫使載流子通過局部開孔區(qū)域進行傳輸，同時降低接觸面積。研究團隊的半導體器件建模計算揭示了這種 PIC 結構周期應該與鈣鈦礦載流子傳輸長度匹配的關鍵設計原理。PIC 方案與晶硅太陽能電池領域的局部接觸技術有異曲同工之妙，但是不同的是，鈣鈦礦中的載流子擴散長度較單晶硅要短很多，從毫米級別大幅減小到微米甚至更短，這就要求 PIC 的尺寸和結構周期要在百納米級別。傳統(tǒng)的晶硅局部接觸工藝不能夠直接滿足這種精度要求，而使用高精度微納加工技術在制備面積和成本方面存在不足。對此挑戰(zhàn)，團隊巧妙利用了納米片的尺寸效應，通過 PIC 生長方式從常規(guī)“層 + 島”（Stranski-Krastanov）模式向“島狀”（Volmer-Weber）模式的轉變，成功由低溫低成本的溶液法實現(xiàn)了這種納米結構的制備（圖 2）。
團隊在疊層器件中廣泛使用的 p-i-n 反式結構中開展了 PIC 方案的驗證，首次實現(xiàn)了空穴界面復合速度從~60cm / s 下降至 10cm / s (圖 3)，以及 25.5% 的單結最高效率（p-i-n 結構穩(wěn)態(tài)認證效率紀錄 24.7%）（圖 4）。這種性能的大幅改善在多種帶隙和組分的鈣鈦礦中都普遍存在，展現(xiàn)了 PIC 廣泛的應用前景。另外，PIC 結構在多種疏水性基底都實現(xiàn)了鈣鈦礦成膜覆蓋率和結晶質量的提高（載流子體相壽命大幅提升），對于大面積擴大化制備也很有意義。
值得注意的是，PIC 方案具有普遍性，可進一步在不同器件結構和不同界面中推廣拓展；同時模擬計算指出目前實驗實現(xiàn)的 PIC 覆蓋面積還遠未達到其設計潛力，可進一步優(yōu)化獲得更大的性能提升。
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