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國(guó)內(nèi)首創(chuàng):華潤(rùn)微與銳成芯微推出基于 0.153μm HD BCD 工藝的 eFlash 閃存 IP

2023/3/14 14:48:49 來(lái)源:IT之家 作者:汪淼 責(zé)編:汪淼

IT之家 3 月 14 日消息,2023 年 3 月,華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微”)旗下的無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)宣布,公司在 0.153μm HD BCD 工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了 Logic eFlash 嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)與 BCD 技術(shù)的結(jié)合,這在國(guó)內(nèi)尚屬首創(chuàng)。

該工藝平臺(tái)的 eFlash 采用了成都銳成芯微科技股份有限公司(“銳成芯微”)的 LogicFlash Pro 專利技術(shù)

圖片

IT之家注:eFlash 又稱嵌入式閃存(embedded Flash),是嵌入式系統(tǒng)中常用的非易失存儲(chǔ)器。

據(jù)介紹,華潤(rùn)上華的 0.153μm HD (High Density) BCD 工藝平臺(tái)采用基于數(shù)模混合工藝的 BCD 架構(gòu)工藝,電壓范圍有 1.8V-5V / 7V-40V 等多種檔位,提供 1.8V + 多種 eNVM 數(shù)字解決方案,主要覆蓋智能 SOC 電源、微處理器、智慧家居和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域。

銳成芯微的 LogicFlash Pro 技術(shù)包括創(chuàng)新的存儲(chǔ)單元架構(gòu)、工藝實(shí)現(xiàn)方法和 IP 核。得益于該技術(shù)獨(dú)特的實(shí)現(xiàn)方式,大大簡(jiǎn)化了業(yè)界流行的 eFlash 技術(shù)的光罩層數(shù)和工藝步驟,不僅維持了原有高壓器件的高性能,也增加了具有高可靠性的 eFlash,能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一,有效控制整體的系統(tǒng)成本。

基于華潤(rùn)上華的 BCD 工藝,該 eFlash IP 具有集成簡(jiǎn)便、可靠性高、兼容性廣等特點(diǎn),也讓其可適用于家用電器、工業(yè)電子及汽車電子等多種高溫環(huán)境和高可靠性場(chǎng)景下的應(yīng)用,并且已展現(xiàn)優(yōu)異的測(cè)試性能和結(jié)果,包括 125℃ 高溫操作壽命大于 1000 小時(shí),125℃的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力超過(guò) 10 年,擦除寫入次數(shù)大于 10 萬(wàn)次,該 IP 方案已被知名汽車芯片廠商采用。

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關(guān)鍵詞:eFlash,華潤(rùn)微銳成芯微,閃存

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