IT之家 5 月 10 日消息，總部位于美國的 3D NAND 閃存廠商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存儲芯片，聲稱是全球首個采用類似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明顯超過當前的 2D DRAM 解決方案。
3D X-DRAM 存儲的首個版本實現(xiàn)了 128 Gb，每個芯片 230 層，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。
Neo Semiconductor 認為，與其他 3D DRAM 替代方案相比，該解決方案可以更輕松地擴展，并且實施成本更低，使其成為在不久的將來取代 2D DRAM 的可靠候選者。
3D X-DRAM 技術的核心在于創(chuàng)新使用了浮動體單元 （FBC），利用當今成熟的 3D NAND 工藝，只需要一個掩模（mask）即可定義位線孔并在孔內(nèi)形成單元結(jié)構(gòu)。這種方法可以大大簡化 2D DRAM 的生產(chǎn)、實施和過渡。
根據(jù) Neo Semiconductor 的估計，到 2025 年，存儲容量可能會翻一番，達到 256 Gb，而十年內(nèi)可以提供 1 Tb 容量。更多信息將在 2023 年 8 月 9 日的閃存峰會上發(fā)布。
IT之家在此附上 3D X-DRAM 的官方介紹鏈接，感興趣的用戶可以點擊閱讀。
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