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威剛展示全新 CAMM 筆記本內(nèi)存:功耗與延遲更低

2023/5/30 22:12:36 來(lái)源:IT之家 作者:孤城 責(zé)編:孤城

IT之家 5 月 30 日消息,威剛現(xiàn)已在其官網(wǎng)發(fā)布了有關(guān)全新 CAMM 筆記本內(nèi)存的介紹信息。官方稱其與現(xiàn)在的筆記本內(nèi)存相比,外形更薄、功耗更低、延遲也更低。

據(jù)官方介紹,全新 CAMM 內(nèi)存采用了全新的架構(gòu)設(shè)計(jì),相比現(xiàn)在的內(nèi)存薄了 57%,另外其功耗更低,擁有更高的存儲(chǔ)效率。

威剛表示,這種內(nèi)存專為筆記本電腦和小型工業(yè)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì),系統(tǒng)滿載時(shí)不降速,與同規(guī)格 DIMM 內(nèi)存相比延遲更低,而且支持 LPDDR 內(nèi)存。

據(jù)IT之家早前報(bào)道,JEDEC 委員會(huì)成員和戴爾高級(jí)工程師 Tom Schnell 今年初表示,JEDEC 正在制定新筆記本內(nèi)存規(guī)范,以取代已經(jīng)使用了 25 年的 SO-DIMM 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。戴爾最早打造了 CAMM 內(nèi)存,率先用在了 Precision 7770 移動(dòng)工作站上。

此前消息稱,首款 JEDEC CAMM 內(nèi)存模塊應(yīng)該會(huì)在 SO-DIMM 內(nèi)存達(dá)到 6400 MT / s 時(shí)推出,并由此取代 SO-DIMM。

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