IT之家 6 月 4 日消息，根據(jù)韓媒 koreaherald 報(bào)道，英特爾計(jì)劃在韓國(guó)首爾設(shè)立科研實(shí)驗(yàn)室，通過(guò)擴(kuò)展和三星、SK 海力士的合作，推進(jìn)適用于數(shù)據(jù)中心的 DRAM 芯片研發(fā)工作。
位于首爾的數(shù)據(jù)中心開發(fā)實(shí)驗(yàn)室將于今年年底前竣工開業(yè)，主要負(fù)責(zé)為數(shù)據(jù)中心開發(fā) DDR5 DRAM 內(nèi)存技術(shù)。
英特爾在 Vision 2023 活動(dòng)中，還表示在美國(guó)、中國(guó)、印度和墨西哥等地再設(shè)立 6 個(gè)科研機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)研究和認(rèn)證服務(wù)器半導(dǎo)體芯片。
英特爾還擴(kuò)大和三星、SK 海力士的合作，測(cè)試和評(píng)估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。
IT之家此前報(bào)道，SK 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工藝 1bnm 已完成驗(yàn)證，滿足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解決需求。
該公司表示，Xeon Scalable 獲得了英特爾認(rèn)證，以支持基于 10 億納米節(jié)點(diǎn)構(gòu)建的 DDR5 產(chǎn)品。三星還開始量產(chǎn)采用 12nm 工藝節(jié)點(diǎn)的 16Gb DDR5 DRAM。
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