IT之家 7 月 27 日消息，據(jù) Tom's hardware 報(bào)道，美光是第一家推出 24Gb DDR5 內(nèi)存芯片的公司?，F(xiàn)在，美光透露，準(zhǔn)備在 2024 年量產(chǎn) 32Gb DDR5 芯片以及更大容量的內(nèi)存模塊。
據(jù)報(bào)道，去年，美光在其 1α (1-alpha) 工藝技術(shù)上打造了 24Gb 內(nèi)存芯片?，F(xiàn)在，32Gb DDR5 芯片將采用美光的 1β（1-beta）工藝制造，這是該公司最先進(jìn)的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。目前，美光尚未透露其 32Gb 設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸速率。
32Gb DDR5 DRAM IC 主要針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)內(nèi)存模塊，為 1TB DDR5 模塊（使用 32 個(gè) 8-Hi 32Gb 堆疊）鋪平了道路，但美光科技并沒(méi)有急于求成，明年只會(huì)提供基于該芯片的 128GB DDR5 內(nèi)存模塊。未來(lái)，美光計(jì)劃推出 192GB 和 256GB DDR5 模塊。
美光的路線圖還出現(xiàn)了 GDDR7 顯存芯片，預(yù)計(jì)將在 2024 年中期批量生產(chǎn)，數(shù)據(jù)傳輸速率為 32 GT/s，顆粒容量可選 16Gb 和 24Gb。
據(jù)IT之家稍早前報(bào)道，美光現(xiàn)已宣布其 HBM3 Gen 2 內(nèi)存正在向客戶提供樣品，其具有 1.2 TB / s 的聚合帶寬，8 高堆疊容量為 24GB。
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