IT之家 9 月 3 日消息，英特爾 CEO Pat Gelsinger 在德意志銀行技術會議（Deutsche Bank's 2023 Technology Conference）上談到了英特爾的產(chǎn)品路線和技術演進。
“我想說，我昨天剛和我們的技術開發(fā)團隊去了俄勒岡州，情況還不錯。我們覺得我們在 Intel 18A 方面已經(jīng)步入正軌。對于代工客戶來說，他們需要可靠的 PDK。他們要相信我們能做到這一點。我們對這一領域的興趣正在不斷增加，進展非常順利?！?/p>
“我們相信 Intel 18A 將于明年年底投入生產(chǎn)，讓我們在 2025 年處于領先地位。我們的內(nèi)部產(chǎn)品（如 Clearwater Forest）進展順利，我們的下一代客戶產(chǎn)品都已進入后期設計階段，代工客戶也是如此?！?/p>
“現(xiàn)在，我們已經(jīng)收到了一大筆客戶預付的 18A 產(chǎn)能款項?？蛻魧ξ覀円呀?jīng)有了足夠的信心，因此選擇注資以加快我們的 18A 產(chǎn)能。對此，我們感到非常高興?？偟膩碚f，正如我們所說的那樣，一切都在穩(wěn)步推進?？蛻舻念A付費確實為 18A 的發(fā)展勢頭和制造產(chǎn)能畫上了濃墨重彩的一筆?！?/p>
“臺積電已建立了市場，我們是臺積電的客戶。所以我很清楚他們的晶圓成本、晶圓平均銷售價格、他們向其 N5 客戶、N3 客戶展示的 N2 預算。我們知道目標是什么?！?/p>
英特爾表示，Intel 18A 是英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃的最后一個節(jié)點，目前正在穩(wěn)步按計劃推進內(nèi)部和外部測試芯片中，預計將于 2024 年下半年實現(xiàn)生產(chǎn)準備就緒，2025 年上市。
英特爾表示，目前有五個以上的內(nèi)部產(chǎn)品正基于最新的 Intel 18A 制程節(jié)點研發(fā)，Intel 18A 預計將于 2025 年上市。代號為 Clearwater Forest 的下一代能效核英特爾至強可擴展處理器計劃將于 2025 年交付，采用 Intel 18A 制程。
代工方面，Intel 18A 制程節(jié)點最初將通過英特爾內(nèi)部產(chǎn)品提升產(chǎn)量，從而讓該制程的各種問題都能得到妥善解決，因此將在很大程度上為英特爾代工服務的外部客戶降低新制程的風險。日前，英特爾宣布已和新思科技簽署多代合作協(xié)議，深化在半導體 IP 和 EDA（電子設計自動化）領域的長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同為英特爾代工服務的客戶開發(fā)基于 Intel 3 和 Intel 18A 制程節(jié)點的 IP 產(chǎn)品組合。此前，Arm 已經(jīng)和英特爾代工服務簽署了涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設計的協(xié)議，使芯片設計公司能夠利用 Intel 18A 開發(fā)低功耗計算系統(tǒng)級芯片（SoC）；英特爾也將采用 Intel 18A 為瑞典電信設備商愛立信打造定制化 5G 系統(tǒng)級芯片。
同時，英特爾介紹了最新的 RibbonFET 晶體管，它將在 Intel 20A 制程節(jié)點推出。IT之家附 RibbonFET 晶體管簡介：
通過 RibbonFET 晶體管，英特爾實現(xiàn)了全環(huán)繞柵極（GAA, gate-all-around）架構(gòu)。它將和 PowerVia 背面供電技術一起于 Intel 20A 制程節(jié)點推出，并在 Intel 18A 制程節(jié)點繼續(xù)被采用，助力英特爾重獲制程領先性，提高產(chǎn)品性能，并為英特爾代工服務的客戶提供更高質(zhì)量的服務。
在晶體管中，柵極（gate）作用類似于開關，可控制電流的流通。2012 年，英特爾在業(yè)界率先引入了 FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，讓柵極環(huán)繞晶體管溝道的上、左、右三側(cè)，其垂直架構(gòu)讓行業(yè)能夠在芯片中集成更多晶體管，從而有力地推動了摩爾定律在過去十年的延續(xù)。
隨著晶體管尺寸越來越小，短溝道效應越來越明顯，電流控制越來越難，F(xiàn)inFET 已經(jīng)達到了物理極限。作為英特爾自 FinFET 之后的首個全新晶體管架構(gòu)，RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管讓帶狀的晶體管溝道整個被柵極環(huán)繞，其好處主要包括以下三個方面：
第一，在 RibbonFET 晶體管中，柵極能夠更好地控制電流的流通，同時在任意電壓下提供更強的驅(qū)動電流，讓晶體管開關的速度更快，從而提升晶體管的性能；
第二，RibbonFET 晶體管架構(gòu)的水平溝道可以垂直堆疊，而不是像 FinFET 一樣只能將鰭片并排放置，因此能夠以更小的空間實現(xiàn)相同的性能，從而推動晶體管尺寸的進一步微縮。
第三，RibbonFET 還將進一步提升芯片設計的靈活性，其溝道可以根據(jù)需求加寬或縮窄，從而更適配不同的應用場景，不管是手機還是電腦，游戲還是醫(yī)療，汽車還是人工智能，可輕松勝任按需配置。
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