三星 LPCAMM 規(guī)格內(nèi)存細(xì)節(jié)曝光:與標(biāo)準(zhǔn) CAMM 物理不兼容,觸點(diǎn)就在顆粒正對(duì)的 PCB 背面

2023/9/27 10:55:00 來(lái)源:IT之家 作者:汪淼 責(zé)編:汪淼
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IT之家 9 月 27 日消息,三星電子昨日宣布已開(kāi)發(fā)出其首款 7.5Gbps(IT之家注:0.9375GB/s)低功耗壓縮附加內(nèi)存模組(LPCAMM)形態(tài)規(guī)格,同時(shí)集合了體積小巧和可拆卸的優(yōu)點(diǎn),將于 2024 年商業(yè)化。

消息發(fā)布后,外媒 anandtech 拿到了有關(guān)這款 LPCAMM 內(nèi)存的更多細(xì)節(jié)信息,IT之家翻譯關(guān)鍵內(nèi)容如下:

LPCAMM 內(nèi)存是三星針對(duì) LPDDR 內(nèi)存使用 CAMM 規(guī)格接口進(jìn)行的改進(jìn),但 LPCAMM 外形尺寸與 CAMM 不兼容(無(wú)論是物理上還是電氣上都不兼容),因此盡管兩者名稱(chēng)類(lèi)似,但不可互換。

▲ 圖源 anandtech

通過(guò) LPCAMM,三星將 4 x32 LPDDR5X 內(nèi)存顆粒封裝直接放置在壓縮連接器(compression connector)上,從而允許在單個(gè)內(nèi)存模塊上使用 128 位內(nèi)存總線。

從三星提供的一份焊盤(pán)圖表可以看到,LPCAMM 內(nèi)存的觸點(diǎn)位于 PCB 板的背面,正對(duì)應(yīng)四個(gè) LPDDR5X 內(nèi)存顆粒的位置。也就是說(shuō),內(nèi)存顆粒和觸點(diǎn)離得非常近,可以最大限度地縮短內(nèi)存控制器和內(nèi)存芯片之間信號(hào)傳輸?shù)木嚯x。

▲ 圖源 anandtech

LPCAMM 內(nèi)存尺寸為 78mm x 23mm。除了 DRAM 封裝本身之外,LPCAMM 模塊下方包括 SPD 和電源管理 IC(PMIC)。與 CAMM 標(biāo)準(zhǔn)一樣,該標(biāo)準(zhǔn)允許模塊提供自己的電壓調(diào)節(jié)和識(shí)別。

對(duì)于第一代 LPCAMM 內(nèi)存,三星希望提供 32GB、64GB 和 128GB 的版本,數(shù)據(jù)速率可達(dá) LPDDR5X-7500。不過(guò),三星目前還沒(méi)有 256Gbit LPDDR5X 內(nèi)存顆粒,因此要實(shí)現(xiàn)單條 128GB,要么將 8 個(gè)顆粒安裝到 LPCAMM 上,要么內(nèi)存尺寸整體加大。

三星表示,與 So-DIMM 相比,LPCAMM 在主板上所占的最多可減少 60%。這不僅能更有效地利用設(shè)備的內(nèi)部空間,還將性能和能效分別提高了 50% 和 70%。

這一研發(fā)成果已在英特爾平臺(tái)上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。三星將于今年與包括英特爾在內(nèi)的主要客戶(hù)一起,將 LPCAMM 應(yīng)用于下一代系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,并計(jì)劃將于 2024 年實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化。

至于標(biāo)準(zhǔn)化方面,據(jù)三星稱(chēng),他們正在與合作伙伴合作制定 LPCAMM 的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí),JEDEC 在 3 月份宣布,他們還致力于擴(kuò)展 CAMM 標(biāo)準(zhǔn)以涵蓋 LPDDR 內(nèi)存,并為 DDR5 和 LPDDR5 使用相同的連接器,但暫未公布后續(xù)消息。

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