IT之家 9 月 27 日消息，英國新型非易失性存儲器開發(fā)商 QuInAs Technology 近日宣布，已經(jīng)添置和購買了相關設備，希望可以生產(chǎn)出 20nm 原型 UltraRAM。
IT之家此前報道，UltraRAM 是一種“超高效存儲”技術，目標是將非易失閃存 NAND、易失性內(nèi)存 RAM 結合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。
QuInAs 目前正在積極推進商業(yè)化 UltraRAM，聲稱該技術最高可承受 1000 萬次重寫循環(huán)。在原型獲得這項目標之后，公司會進行小規(guī)模的試產(chǎn)，并在全球范圍內(nèi)尋求客戶。
UltraRAM 由英國蘭開斯特大學和華威大學的物理學家開發(fā)的，為了推進商業(yè)化，于去年冬季成立了 QuInAs Technology 公司，于今年 8 月在閃存峰會上首次亮相。
存儲到 UltraRAM 單元中的電荷可以存儲 1000 年而不泄露，承諾能效比 DRAM 高 100 倍，比 3D NAND 高 1000 倍。
UltraRAM 的關鍵在于由砷化銦和銻化鋁（InAs / AlSb）制成的創(chuàng)新三層浮動閥，可以確保最大的能源效率和泄漏保護。
在傳統(tǒng)的 3D NAND 存儲器中，單元中的氧化物浮動柵極逐漸被破壞，而在 UltraRAM 存儲器中，三層柵極幾乎不受外界影響。
UltraRAM 在執(zhí)行讀取操作時，也使用非破壞性方式完成，電子在共振時穿過三重勢壘進入單元，并在擦除過程中以相同的方式退出，使寫入過程非常節(jié)能，從而實現(xiàn)超長的重寫周期數(shù)。
為了繼續(xù)開發(fā) UltraRAM，該公司獲得了 Innovate UK 的 ICURe Exploit 基金的資助，有助于進一步推進 UltraRAM 的商業(yè)化。
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