IT之家 9 月 28 日消息，據(jù) AnandTech 消息，美光科技在本周的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，正在出樣 128 GB DDR5 內(nèi)存模塊，采用美光今年早些時(shí)候發(fā)布的 32 Gb DDR5 內(nèi)存芯片。
據(jù)報(bào)道，美光的 32 Gb DDR5 芯片采用該公司的 1β (1-beta) 制造工藝，目前官方暫未透露其速度和功耗信息。32 Gb DDR5 芯片為單條 128 GB 的服務(wù)器內(nèi)存條鋪平了道路，也使得生產(chǎn) 1 TB 容量的內(nèi)存模塊成為可能，
據(jù) IT 之家此前報(bào)道，三星今年 9 月 1 日宣布采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn) 1TB 內(nèi)存模組的解決方案。功耗方面，使用三星的 32Gb DDR5 芯片封裝的 128GB 內(nèi)存模組相比上一代功耗降低了約 10%。三星全新 12 納米級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 計(jì)劃于今年年底開始量產(chǎn)。
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