IT之家 10 月 2 日消息，英特爾上周表示，它已經開始在價值 185 億美元的愛爾蘭工廠使用 EUV 光刻機進行大規(guī)模生產，并稱其為“里程碑時刻”。
英特爾技術開發(fā)總經理安?凱勒赫（Ann Kelleher）表示，英特爾將于今年率先引入下一代高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻機，而此前英特爾曾表示 High-NA 技術在 18A 節(jié)點上僅用于設備開發(fā)和驗證，并將在 18A 之后的節(jié)點上正式投產。
這家美國公司表示，有了 High-NA EUV 光刻機，理論上可以在英特爾實現(xiàn)其“四年五代工藝”的路上發(fā)揮關鍵作用。
安?凱勒赫表示，他們目前正按計劃實現(xiàn)這一目標，現(xiàn)已完成兩個制造工序，而第三個工序“正在迅速到來”，而且最后兩個工序都取得了非常好的進展。
ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 上個月在接受路透社采訪時表示，盡管供應商出現(xiàn)了一些阻礙，但公司仍會按照此前設定的計劃，在今年年底之前交付 High NA EUV 機器。
凱勒赫說，英特爾預計今年晚些時候將在俄勒岡州收到首批 High-NA EUV 光刻機，而且英特爾將是首個獲得這款機器的芯片制造商。
ASML 表示，一臺 High-NA EUV 設備的體積和卡車相當，每臺設備超過 1.5 億美元（IT之家備注：當前約 10.95 億元人民幣），可以滿足各類芯片制造商的需求，可以在未來十年內制造更小、更先進的芯片。
目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產 3nm 技術，而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。
目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的單模已經足夠用了，但隨著間距低于 30 nm（超過 5 nm 級的節(jié)點）到來，13 nm 分辨率可能需要雙重曝光技術，這是未來幾年內的主流方法。
對于后 3nm 時代，ASML 及其合作伙伴正在開發(fā)一種全新的 EUV 光刻機 ——Twinscan EXE:5000 系列，該系列機器將具有 0.55 NA（高 NA）的透鏡，分辨率達 8nm，從而在 3 nm 及以上節(jié)點中盡可能減少工序，降低成本并提供良率。
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