IT之家 10 月 9 日消息，據(jù)韓媒 ChosunBiz 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士本月 4 日分析稱(chēng)，三星電子、臺(tái)積電的 3nm 工藝良品率目前都在 50% 左右。
報(bào)道稱(chēng)，此前有消息表示三星電子的 3nm 良品率超過(guò) 60%，且已經(jīng)向中國(guó)客戶(hù)交付了一款芯片，但由于該工藝省略了邏輯芯片中的 SRAM，因此很難將其視為“完整的 3nm 芯片”。
業(yè)界認(rèn)為，盡管三星已經(jīng)率先量產(chǎn)重點(diǎn)發(fā)展的 3nm 全柵極技術(shù)（GAA），但它的產(chǎn)量還不足以影響大客戶(hù)。在這種技術(shù)中，由于柵極環(huán)繞在構(gòu)成半導(dǎo)體的晶體管中電流通道的四邊，與此前環(huán)繞三邊的工藝相比，難度自然會(huì)增加。一位熟悉三星的人士透露，“要贏得高通等大客戶(hù)明年的 3nm 移動(dòng)芯片訂單，良率至少需要提高到 70%。”
至于臺(tái)積電，雖然作為目前唯一一家擁有 3nm 量產(chǎn)記錄的公司，但其產(chǎn)量同樣低于最初預(yù)期。有分析師表示，臺(tái)積電 3nm 工藝中使用了與上一代工藝相同的 FinFET 結(jié)構(gòu)，可能“未能控制”過(guò)熱問(wèn)題。
當(dāng)前兩家公司仍在努力實(shí)現(xiàn) 60% 以上良品率的目標(biāo)。臺(tái)積電計(jì)劃在明年量產(chǎn) N3E、N3P、N3X、N3AE 等，重點(diǎn)就是提高良品率降低成本。
此外，一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露稱(chēng)，三星、臺(tái)積電和英特爾都在準(zhǔn)備 2nm 工藝，但與 3nm 相比，性能和功耗效率的提升“并不明顯”，因此預(yù)計(jì) 3nm 工藝芯片的需求持續(xù)時(shí)間將超過(guò)預(yù)期。
IT之家此前報(bào)道，天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤上月末在 X 平臺(tái)（原推特）發(fā)文，針對(duì)目前蘋(píng)果 iPhone 15 Pro 手機(jī)過(guò)熱問(wèn)題進(jìn)行了解讀，并表示“與臺(tái)積電 3nm 制程無(wú)關(guān)”。
郭明錤稱(chēng)：“我的調(diào)查指出，iPhone 15 Pro 系列的過(guò)熱問(wèn)題，與臺(tái)積電的 3nm 制程無(wú)關(guān)，主要很可能是為了讓重量更輕，因此對(duì)散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)作出了妥協(xié)，像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。預(yù)計(jì)蘋(píng)果將會(huì)通過(guò)更新系統(tǒng)修復(fù)此問(wèn)題，但除非降低處理器性能，否則改善效果可能會(huì)有限。如果蘋(píng)果沒(méi)有妥善解決這個(gè)問(wèn)題，可能會(huì)不利于 iPhone 15 Pro 系列產(chǎn)品周期的出貨量。”
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