IT之家 10 月 12 日消息，據(jù)三星官方博客消息，面向高性能計算（HPC）的 HBM 內(nèi)存迎來新進展，將開發(fā) 9.8Gbps 的 HBM3E 產(chǎn)品，已開始向客戶提供樣品。
此外，HBM4 內(nèi)存以 2025 年為目標正在開發(fā)中，為了適用于該產(chǎn)品，正在準備針對高溫熱特性優(yōu)化的 NCF 組裝技術(shù)和 HCB 技術(shù)。
IT之家注：NCF（Non-conductive Film，非導(dǎo)電薄膜）：用于保護積層芯片之間的固態(tài)接頭（Solder joint）免受絕緣和機械沖擊的聚合物層（Polymer layer）。
HCB（Hybrid Copper Bonding，混合粘接）：作為新一代粘接技術(shù)，采用銅（導(dǎo)體）和氧化膜（絕緣體）的粘接方式，而不是傳統(tǒng)的使用焊接方式。
今年年初，三星 AVP（高級封裝）業(yè)務(wù)團隊成立，以加強尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。三星計劃與 HBM 一起提供尖端定制封裝服務(wù)，包括 2.5 維和 3 維尖端封裝解決方案。
三星表示，用于 AI 服務(wù)的高端 CPU 需要 100 個以上的核心，并且每個核心都要有足夠的內(nèi)存。此外，為了在有限的封裝中加載更多容量，最小化 DRAM 單芯片尺寸的工藝技術(shù)，以及在外形尺寸內(nèi)正確放置組件并確保按照規(guī)格運行的設(shè)計技術(shù)也至關(guān)重要。
三星上個月發(fā)布了 32Gb DDR5 DRAM 內(nèi)存，通過相同封裝尺寸的架構(gòu)改進，實現(xiàn)了 16Gb DRAM 容量的兩倍，從而無需 TSV 工藝即可制造 128GB 模塊。三星表示，這使得降低成本、提高生產(chǎn)率成為可能，同時功耗也降低了 10%。
TSV（Through Silicon Via，硅通孔）：一種封裝技術(shù)，可以使芯片變薄，鉆出數(shù)百個小孔，并連接垂直穿過頂部和底部芯片中的孔的電極。
三星官方在博客最后表示，未來將繼續(xù)克服技術(shù)限制，開發(fā)出多種世界上前所未有的內(nèi)存解決方案產(chǎn)品。特別是三星計劃基于 10 納米以下工藝，開發(fā) AI 時代的超高性能、超高容量、超低功耗的存儲器產(chǎn)品，并號稱“將是 DRAM 市場的一個重大拐點”。
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