IT之家 10 月 15 日消息，據(jù)三星官方消息，面向高性能計(jì)算（HPC）的 HBM 內(nèi)存迎來新進(jìn)展，9.8Gbps 的 HBM3E 產(chǎn)品已開始向客戶提供樣品，而 HBM4 內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年推出。
雖然目前還沒有關(guān)于 HBM4 的正式規(guī)范，但臺(tái)積電在 2023 OIP 論壇阿姆斯特丹廠上給出了部分制定中的標(biāo)準(zhǔn)。臺(tái)積電稱，未來 HBM4 內(nèi)存的接口位寬將實(shí)現(xiàn)翻倍，達(dá)到 2048 bit。
值得一提的是，出于多種技術(shù)原因，他們還希望在不增加 HBM 內(nèi)存堆棧占用空間的情況下實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，這也將會(huì)使得下一代 HBM 內(nèi)存的互連密度翻倍，而無需進(jìn)一步提高時(shí)鐘速度。
按照計(jì)劃，這將使 HBM4 在多種技術(shù)層面上實(shí)現(xiàn)重大飛躍。
在 DRAM 堆疊方面，一個(gè) 2048bit 的內(nèi)存接口需要大幅增加硅通孔的數(shù)量。同時(shí)，外部芯片接口將需要將凸塊間距縮小到 55 微米以下，同時(shí)大幅增加微凸塊數(shù)目（IT之家注：HBM3 目前大約 3982 個(gè)微凸塊）。
此外，HBM4 還將采用 16-Hi 堆疊模式，也就是說在一個(gè)模塊中堆疊 16 個(gè)內(nèi)存芯片，這也將致使其技術(shù)復(fù)雜性進(jìn)一步提高 （HBM3 從技術(shù)層面上來講也支持 16-Hi 堆疊，但到目前為止還沒有哪家制造商實(shí)際這么干過）。
所有這些新指標(biāo)反過來都需要芯片制造商、內(nèi)存制造商和芯片封裝公司之間采取更加緊密的合作方式，以確保一切順利地進(jìn)行。
在臺(tái)積電于阿姆斯特丹舉行的 TSMC OIP 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理負(fù)責(zé)人丹?科赫帕恰林（Dan Kochpatcharin）表示：“因?yàn)樗麄儧]有將速度加倍，而是將 [接口] 引腳 [與 HBM4 一起] 加倍。這就是為什么我們正在努力確保我們與所有三個(gè)合作伙伴合作，使他們的 HBM4 [可以通過我們的先進(jìn)封裝] 合格，并確保 RDL 或中介器或兩者之間的任何內(nèi)容都可以支持 HBM4 的布局和速度。所以，我們正在與三星、SK 海力士和美光保持合作?！?/p>
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