IT之家 10 月 17 日消息，東京威力科創(chuàng) / 東京電子（Tokyo Electron）為了追趕泛林集團(tuán)（Lam Research），成功開(kāi)發(fā)出可生產(chǎn) 400 層 3D NAND 閃存的設(shè)備，預(yù)估該技術(shù)可以為公司帶來(lái)數(shù)十億美元的凈收入。
生產(chǎn) 3D NAND 需要專(zhuān)門(mén)的設(shè)備，目前主要由美國(guó)公司泛林集團(tuán)控制。IT之家今年 6 月曾報(bào)道，東京電子開(kāi)發(fā)出全新蝕刻技術(shù)，首次將電蝕刻應(yīng)用帶入到低溫范圍中，并創(chuàng)造性地發(fā)明了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。
東京威力科創(chuàng)希望憑借著這項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)，與現(xiàn)有方法相比，新的蝕刻方法至少將生產(chǎn)率提高了 2.5 倍。
東京威力科創(chuàng)表示這種技術(shù)對(duì)環(huán)境的有害影響也非常小，公司預(yù)估客戶(hù)安裝調(diào)試完成之后，可以在未來(lái) 2-3 年內(nèi)開(kāi)始生產(chǎn) 400 層 3D NAND 存儲(chǔ)器；預(yù)估到 2027 年該領(lǐng)域產(chǎn)能比今年翻兩番，達(dá)到 20 億美元。
東京電子上一財(cái)年銷(xiāo)售的蝕刻設(shè)備價(jià)值不超過(guò) 39 億美元，約占其總銷(xiāo)售額的四分之一。在新技術(shù)的幫助下，該公司預(yù)計(jì)其核心銷(xiāo)售額至少將增加一倍。
去年銷(xiāo)售額達(dá)到 200 億美元的半導(dǎo)體行業(yè)蝕刻系統(tǒng)市場(chǎng)中，東京電子以 25% 的份額屈居第二，而美國(guó) Lam Research 公司繼續(xù)領(lǐng)先，占據(jù)半壁江山。
過(guò)去五年來(lái)，東京電子的研發(fā)支出增加了 77%，預(yù)計(jì)今年的研發(fā)支出將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 13.4 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 97.95 億元人民幣）。
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