IT之家 10 月 18 日消息，據(jù)韓媒 businesskorea 消息，目前三星已經(jīng)確認(rèn)將其第五代 HBM3E 產(chǎn)品命名為“Shinebolt”。
韓媒聲稱，三星已經(jīng)開始向客戶提供這一“Shinebolt”樣品來進(jìn)行質(zhì)量測試，該樣品的規(guī)格為 8 層 24GB。此外三星還將很快完成 12 層 36GB 產(chǎn)品的開發(fā)。
Shinebolt 的最大數(shù)據(jù)傳輸速度（帶寬）約比 HBM3 高 50%，達(dá) 1.228TB / s，盡管三星的 HBM 開發(fā)和生產(chǎn)速度在某種程度上落后于 SK 海力士，但三星仍然計劃重新奪回先進(jìn)內(nèi)存生產(chǎn)的領(lǐng)先地位。
HBM 的關(guān)鍵在于每層之間的連接方式，三星從 HBM 生產(chǎn)之初就一直采用熱壓縮非導(dǎo)電薄膜（TC-NCF）工藝，而 SK 海力士則采用的是質(zhì)量回流成型底部填充（MR-MUF）工藝。當(dāng)然這二者孰優(yōu)孰劣依然要交給市場來評判。
由于已經(jīng)在 HBM 的開發(fā)和生產(chǎn)速度上落后于 SK 海力士，三星也開始重新制定戰(zhàn)略來奪回市場定位。目前三星正考慮加速開發(fā) HBM 的“混合連接”工藝，從而“改變游戲規(guī)則”。
IT之家同時發(fā)現(xiàn)，三星內(nèi)存業(yè)務(wù)總裁 Lee Jung-bae 此前便已表示：“我們目前正在生產(chǎn) HBM3，并順利開發(fā)下一代產(chǎn)品 HBM3E，我們將進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn) HBM 以滿足客戶的需求。”
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