IT之家 10 月 21 日消息，三星公司在今天舉辦的儲存技術(shù)日活動中，向外界展示了諸多新產(chǎn)品，其中包括名為“Shinebolt”的下一代 HBM3E DRAM，可以滿足下一代 AI 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用需求。
三星表示“Shinebolt”HBM3E DRAM 的每個引腳速度為 9.8Gbps，可以實現(xiàn) 1.2 TBps 的傳輸速率，不斷提高總擁有成本（TCO），加快數(shù)據(jù)中心的 AI 模型訓(xùn)練和推理任務(wù)。
三星為了實現(xiàn)更多的層數(shù)堆疊并改善散熱，優(yōu)化了非導(dǎo)電薄膜 （NCF） 技術(shù)，以消除芯片層之間的間隙并最大限度地提高導(dǎo)熱性。
三星的 8H 和 12H HBM3 產(chǎn)品目前正在批量生產(chǎn)中，Shinebolt 的樣品正在向客戶發(fā)貨。憑借其作為整體半導(dǎo)體解決方案提供商的優(yōu)勢，該公司還計劃提供定制的 turnkey 服務(wù)，將下一代 HBM、先進封裝技術(shù)和代工產(chǎn)品結(jié)合在一起。
IT之家從新聞稿中獲悉，三星本次還展示了多款新品，包括具有業(yè)界最高容量的 32Gb DDR5 DRAM，業(yè)界首款 32Gbps GDDR7，此外還介紹了 PB 級 PBSSD，顯著提升了服務(wù)器應(yīng)用程序的存儲功能。
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