IT之家 11 月 12 日消息，在今年的開放計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 全球峰會上，三星先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì)展示了 HBM 進(jìn)一步發(fā)展可能會遇到的瓶頸以及解決方案。
三星表示，采用硅光子技術(shù)實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存與邏輯部分的互連，可實(shí)現(xiàn)更快的速率和更好的能效。
光子學(xué)基于一種可以對單個光子（粒子 / 波）信息進(jìn)行編碼的技術(shù)，這不僅可以大幅降低功耗（發(fā)射光粒子而不是電子流），而且還能極大程度地提高處理速度（IT之家注：延遲達(dá)到飛秒，即千萬億分之一秒級別，傳播速度接近光速極限）。
三星提出了兩種可能的互連架構(gòu)，一種類似現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，但使用光子中介層實(shí)現(xiàn)互連；另一種直接將邏輯部分和 HBM 分離，用硅光子通信連接兩部分。
簡單來講，第一種是在基礎(chǔ)封裝層和頂層之間加入光子中介層，頂層同時容納邏輯部分（例如 GPU）和 HBM 本身，這里光子層只作為它們之間的通信層。但這種方法成本較高 —— 需要中介層，還需要本地邏輯和 HBM 都支持光子 I / O。
另一種方法是將 HBM 存儲體完全與芯片封裝分離，相比第一種方式這大大簡化了 HBM 和邏輯的芯片制造難度和封裝成本，并避免了復(fù)雜的電路內(nèi)數(shù)字到光學(xué)的轉(zhuǎn)換。
從可行性角度來看，這種方法聽起來似乎是最合理的，但這也意味著對服務(wù)器規(guī)范進(jìn)行更深入的重新思考，并且可能會導(dǎo)致產(chǎn)生“HBM 內(nèi)存立方體”—— HBM 內(nèi)存庫預(yù)加載到指定的光子接口上。
由于你已經(jīng)將 HBM 與芯片本身解耦，并假設(shè)保持標(biāo)準(zhǔn)的光通信接口，那么你可以把它當(dāng)成一個“可升級”的產(chǎn)品，類似于 RAM 套件一樣。
該 PPT 還詳細(xì)介紹了三星的 HBM 封裝等技術(shù)的細(xì)節(jié)，包括 2.5D 和 3D 解決方案，并簡要概述了摩爾定律的競爭以及半導(dǎo)體小型化領(lǐng)域成本不斷增加的問題，以解釋為什么光子學(xué)確實(shí)是我們未來的一部分。目前來看，很難說 HBM 未來還有多遠(yuǎn)，但這條路會應(yīng)該會一直延續(xù)下去。
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