IT之家 12 月 19 日消息，SamMobile 消息稱，ASML 將于未來幾個月內(nèi)推出用于 2nm 制程節(jié)點的芯片制造設(shè)備，將數(shù)值孔徑（NA）光學性能從 0.33 提高到 0.55，而三星計劃在 2025 年底開始生產(chǎn) 2nm 芯片。
據(jù)稱，ASML 明年規(guī)劃產(chǎn)能僅有 10 臺，而英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中 6 臺，不過 ASML 計劃在未來幾年內(nèi)將此設(shè)備產(chǎn)能提高到每年 20 臺。
目前，ASML 官網(wǎng)列出的 EUV 光刻機僅有兩款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配備 0.33 NA 的反射式投影光學器件及 13.5nm EUV 光源，分別適用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。
ASML 發(fā)言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系統(tǒng)，具有更高的光刻分辨率，可將芯片縮小 1.7 分之一，同時密度增加至 2.9 倍。
之前的報道顯示，ASML 第一臺 0.55 NA EUV 光刻機計劃于 2025 年后量產(chǎn)，第一臺將交付給英特爾。
英特爾發(fā)言人稱，公司將成為 ASML 第一臺 EXE:5200 的買家。與 EXE:5000 相比，EXE:5200 預(yù)計將帶來幾項改進，包括更高的生產(chǎn)率等等。
根據(jù) Gartner 分析師 Alan Priestley 的預(yù)測，0.55 NA EUV 光刻機單價將翻番到 3 億美元（IT之家備注：當前約 21.42 億元人民幣）。
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