IT之家 2 月 5 日消息，@Tech_Reve 表示，三星 Exynos 2400 采用的 4LPP+ 工藝目前良率約為 60%，雖然比不上競爭對手（臺積電 N4P 據(jù)說約為 70%），但已經(jīng)遠(yuǎn)超一年多之前的自己。
值得一提的是，Exynos 2400 是三星首款采用“扇出晶圓級封裝”（FOWLP）的智能手機(jī)芯片組。三星聲稱，使用 FOWLP 技術(shù)可將耐熱性提高 23%，從而使多核性能提高 8%，因此 Exynos 2400 在最新的 3DMark Wild Life 極限壓力測試結(jié)果中表現(xiàn)不俗。
上個月，Chosun 稱三星電子代工廠已開始針對其第二代 3nm 級工藝 SF3 進(jìn)行試生產(chǎn)。據(jù)報道，該公司計(jì)劃在未來六個月內(nèi)將良率提高至 60% 以上。
消息人士稱，三星正在測試 SF3 節(jié)點(diǎn)上制造的芯片的性能和可靠性；首個采用三星 SF3 工藝的芯片預(yù)計(jì)將會是專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的應(yīng)用處理器，計(jì)劃用于今年晚些時候發(fā)布的 Galaxy Watch 7 等產(chǎn)品。
三星此前表示，計(jì)劃在 2024 年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn) SF3 芯片；2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進(jìn)版本 SF3P (3GAP+)，而且該公司還計(jì)劃于 2025-2026 年開始推出其 2nm 節(jié)點(diǎn)。
據(jù)三星介紹，SF3 節(jié)點(diǎn)可以在同一單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)不同的環(huán)繞柵（GAA）晶體管納米片通道寬度，從而提供更高的設(shè)計(jì)靈活性。這也能夠?yàn)樾酒瑤砀偷墓暮透叩男阅埽⑼ㄟ^優(yōu)化設(shè)計(jì)來增加晶體管密度。
IT之家通過 TrendForce 數(shù)據(jù)獲悉，臺積電去年第三季度占據(jù)了全球晶圓代工市場 57.9% 的份額。三星電子以 12.4% 的份額位居第二，兩家公司之間的差距超過 40 個百分點(diǎn)。
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