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美光宣布量產(chǎn) HBM3e 內(nèi)存,將應(yīng)用于英偉達(dá) H200 AI 芯片

2024/2/26 22:51:33 來(lái)源:IT之家 作者:問(wèn)舟 責(zé)編:問(wèn)舟
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IT之家 2 月 26 日消息,美光科技今日宣布開(kāi)始批量生產(chǎn) HBM3E 高帶寬內(nèi)存,其 24GB 8H HBM3E 產(chǎn)品將供貨給英偉達(dá),并將應(yīng)用于 NVIDIA H200 Tensor Core GPU(第二季度開(kāi)始發(fā)貨)。

IT之家查詢官方資料獲悉, 美光 HBM3e 內(nèi)存基于 1β 工藝,采用 TSV 封裝、2.5D / 3D 堆疊,可提供 1.2 TB / s 及更高的性能。

美光表示,與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,其 HBM3E 解決方案有著以下三方面的優(yōu)勢(shì):

  • 卓越性能:美光 HBM3E 擁有超過(guò) 9.2 Gb / s 的針腳速率、超過(guò) 1.2 TB / s 的內(nèi)存帶寬,可滿足人工智能加速器、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)中心的苛刻需求。

  • 出色能效:與競(jìng)品相比,美光 HBM3E 功耗降低了約 30%,在提供最大吞吐量的前提下將功耗降至最低,有效改善數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)支出指標(biāo)。

  • 無(wú)縫擴(kuò)展: 美光 HBM3E 目前可提供 24GB 容量,可幫助數(shù)據(jù)中心輕松擴(kuò)展其 AI 應(yīng)用。無(wú)論是訓(xùn)練大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)還是加速推理任務(wù)都能提供必要的內(nèi)存帶寬。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示:“美光科技憑借這一 HBM3E 里程碑實(shí)現(xiàn)了三連勝:上市時(shí)間領(lǐng)先、一流的行業(yè)性能以及差異化的能效概況。”“人工智能工作負(fù)載嚴(yán)重依賴(lài)內(nèi)存帶寬和容量,美光處于有利位置,可以通過(guò)我們業(yè)界領(lǐng)先的 HBM3E 和 HBM4 路線圖以及我們用于人工智能應(yīng)用的完整 DRAM 和 NAND 解決方案組合來(lái)支持未來(lái)人工智能的顯著增長(zhǎng)?!?。

HBM 是美光科技最賺錢(qián)的產(chǎn)品之一,部分原因在于其構(gòu)造所涉及的技術(shù)復(fù)雜性。該公司此前曾表示,預(yù)計(jì) 2024 財(cái)年 HBM 收入將達(dá)到“數(shù)億”美元,并在 2025 年繼續(xù)增長(zhǎng)。

美光還宣布將會(huì)在 3 月 18 日召開(kāi)的全球人工智能大會(huì)上分享更多有關(guān)其行業(yè)領(lǐng)先的人工智能內(nèi)存產(chǎn)品組合和路線圖的信息。

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關(guān)鍵詞:美光,人工智能,內(nèi)存

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