IT之家 2 月 27 日消息，三星電子今日官宣發(fā)布其首款 12 層堆疊 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的 HBM 產(chǎn)品。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達(dá) 1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
“當(dāng)前行業(yè)的人工智能服務(wù)供應(yīng)商越來越需要更高容量的 HBM，而我們的新產(chǎn)品 HBM3E 12H 正是為了滿足這種需求而設(shè)計(jì)的，” 三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁 Yongcheol Bae 表示，“這一新的存儲(chǔ)解決方案是我們研發(fā)多層堆疊 HBM 核心技術(shù)以及在人工智能時(shí)代為高容量 HBM 市場提供技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力而努力的一部分?！?/p>
據(jù)介紹，HBM3E 12H 采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得 12 層和 8 層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，以滿足當(dāng)前 HBM 封裝的要求。因?yàn)樾袠I(yè)正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項(xiàng)技術(shù)將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至 7 微米（μm），同時(shí)消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 產(chǎn)品的垂直密度比其 HBM3 8H 產(chǎn)品提高了 20% 以上。
三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善 HBM 的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用于信號(hào)傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域。這種方法有助于提高產(chǎn)品的良率。
三星電子表示，相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 搭載于人工智能應(yīng)用后，預(yù)計(jì)人工智能訓(xùn)練平均速度可提升 34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過 11.5 倍。
IT之家從官方新聞稿獲悉，三星已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，預(yù)計(jì)于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。
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