IT之家 3 月 9 日消息，根據(jù)彭博社報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的半導(dǎo)體晶圓廠有望獲得超過(guò) 50 億美元的聯(lián)邦補(bǔ)貼。報(bào)道稱美國(guó)政府還需要和臺(tái)積電敲定一些細(xì)節(jié)，因此暫時(shí)并未公布。
如果有關(guān)臺(tái)積電獲得 50 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 360 億元人民幣）獎(jiǎng)勵(lì)的信息是準(zhǔn)確的，那么有關(guān)英特爾獲得約 100 億美元獎(jiǎng)勵(lì)的報(bào)道很可能也是準(zhǔn)確的。
此外，英特爾在美國(guó)的項(xiàng)目遠(yuǎn)比臺(tái)積電雄心勃勃、耗資巨大。例如，英特爾正在俄亥俄州建造一個(gè)全新的廠址，耗資將超過(guò) 1000 億美元。
臺(tái)積電在亞利桑那州的項(xiàng)目投資 400 億美元，建設(shè)兩座半導(dǎo)體制造工廠。對(duì)于這家全球第一大晶圓代工廠來(lái)說(shuō)，這是使其地理足跡多樣化的一種嘗試。
臺(tái)積電于 2021 年初開始建設(shè)其在美國(guó)的第一座新工廠，計(jì)劃于 2024 年投產(chǎn)。然而，據(jù)報(bào)道由于該州熟練工人短缺，臺(tái)積電不得不推遲安裝部分工廠工具，因此工廠的投產(chǎn)時(shí)間被推遲到 2025 年。該生產(chǎn)設(shè)施名為 Fab 21 phase 1，將采用臺(tái)積電的 5 納米級(jí)工藝技術(shù)，包括 N5、N5P、N4、N4P 和 N4X。
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