IT之家 3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。
黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。
在本次吹風會之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a very, very good company.）。
黃仁勛表示目前已經(jīng)開始驗證三星的 HBM 內(nèi)存芯片，并考慮在未來下單采購。
黃仁勛在本次吹風會中，強調(diào)了 SK 海力士的重要性，是滿足英偉達現(xiàn)代 HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商。
IT之家注：目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封裝瓶頸之外，另一個重要限制就是 HBM，這其中的主要原因是 HBM 生產(chǎn)周期較 DDR5 更長，投片到產(chǎn)出、封裝完成需要至少 2 個季度。
英偉達目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 內(nèi)存，主要供應(yīng)商為 SK 海力士，目前無法滿足整體 AI 市場需求。集邦咨詢表示三星于 2023 年年末，以 1Znm 產(chǎn)品加入英偉達供應(yīng)鏈，盡管比重仍小，但可視為三星在 HBM 領(lǐng)域的重大突破。
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