IT之家 3 月 23 日消息，三星電子美國分公司負(fù)責(zé)人韓進(jìn)萬（Han Jin-man）近日發(fā)布 LinkedIn 動態(tài)，分享了兩張圖片，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛參觀三星 GTC 2024 展臺時(shí)，在 HBM3E 12H 上留下了親筆簽名。
黃仁勛在宣傳“HBM3E 12H”產(chǎn)品卡片上，親筆簽下了“JENSEN APPROVED”的字樣。三星的 HBM3E 12H 是業(yè)界首款 12 層堆疊產(chǎn)品，英偉達(dá)目前正在對該產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證測試。
而在該照片發(fā)布之前，黃仁勛在吹風(fēng)會中表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)已經(jīng)開始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片，并考慮在未來下單采購”。
韓進(jìn)萬還在社交媒體上分享了一張照片，展示了黃仁勛在參觀三星展臺后和三星工作人員的合影照片。
黃仁勛并未正面表達(dá)親筆簽名的態(tài)度和確切含義，但業(yè)界猜測這反映了他對 HBM3E 的高度期望。
黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。
IT之家此前報(bào)道，三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達(dá) 1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
據(jù)介紹，HBM3E 12H 采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得 12 層和 8 層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，以滿足當(dāng)前 HBM 封裝的要求。
因?yàn)樾袠I(yè)正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項(xiàng)技術(shù)將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至 7 微米（μm），同時(shí)消除了層與層之間的空隙。
這些努力使其 HBM3E 12H 產(chǎn)品的垂直密度比其 HBM3 8H 產(chǎn)品提高了 20% 以上。
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