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日本 Rapidus 目標今年底開始向晶圓廠交付設(shè)備,明年 4 月啟動試產(chǎn)

2024/4/3 17:06:28 來源:IT之家 作者:溯波(實習) 責編:汪淼

IT之家 4 月 3 日消息,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省近日決定在本年度向日本先進制程晶圓代工企業(yè) Rapidus 提供共計 5900 億日元(IT之家備注:當前約 282.02 億元人民幣)的資助。在此背景下,Rapidus 召開了記者會,介紹了最新的進度時間表。

根據(jù)日媒 Mynavi 分享的記者會圖片,Rapidus 計劃本年度完成其位于北海道千歲市的首座晶圓廠 IIM-1 的潔凈室和其他附屬設(shè)施建設(shè),并于 12 月開始向該晶圓廠交付設(shè)備,目標 2025 年一季度實現(xiàn)晶圓廠的整體竣工,4 月正式啟動試產(chǎn)

圖片 1

▲ 圖源 Mynavi,下同

Rapidus 總裁兼首席執(zhí)行官小池淳義表示,這家先進制程晶圓代工企業(yè)計劃于 2027 年一季度啟動大規(guī)模量產(chǎn)。

而在后端工藝方面,Rapidus 計劃與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 AIST、東京大學、IBM、新加坡 A*STAR IME 微電子研究所、德國弗勞恩霍夫(Fraunhofer)應用研究促進協(xié)會等方面進行國際合作,為其 2nm 制程半導體開發(fā)配套的先進 2.xD / 3D 封裝技術(shù)。

Rapidus 計劃租用與 IIM-1 緊鄰的愛普生千歲工廠的部分廠房作為先進封裝設(shè)施,以縮短與晶圓廠之間的物理距離,實現(xiàn)一體化生產(chǎn)。Rapidus 目標在本財年末完成租賃區(qū)域潔凈室的建設(shè)。

后端技術(shù)上,Rapidus 計劃使用 600mm 方形 RDL 中介層基板驗證 3D 封裝技術(shù),目標在該技術(shù)上實現(xiàn) 25 微米的端子間距。

圖片 2

Rapidus 希望實現(xiàn)一個從設(shè)計到前端制造再到后端封裝的整體對接模式,縮短客戶產(chǎn)品出貨周期。

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