IT之家 4 月 8 日消息，根據(jù)近日發(fā)表在《Acta Materialia》上的論文，希捷攜手日本國(guó)立材料研究所（NIMS）、日本東北大學(xué)探索設(shè)計(jì)了多級(jí)（multi-level）堆棧的方法，有望在未來(lái) 10-15 年間推出 120TB 以上的硬盤(pán)。
熱輔助磁記錄技術(shù)（HAMR）近年來(lái)逐漸開(kāi)始商用，比標(biāo)準(zhǔn)垂直磁記錄（PMR）技術(shù)相比，有望將磁區(qū)密度和硬盤(pán)容量提高至少兩倍。
而在該論文中，希捷攜手科研機(jī)構(gòu)探索多級(jí)熱輔助記錄技術(shù)，而且已經(jīng)證明了在雙層顆粒介質(zhì)上進(jìn)行多級(jí)次熱輔助磁記錄（HAMR）的可行性。
研究人員創(chuàng)造了一種新型顆粒介質(zhì)，這種介質(zhì)由兩層 FePt-C 納米顆粒薄膜組成，中間由具有立方晶體結(jié)構(gòu)的 Ru-C 間隔層隔開(kāi)，能在不同的磁場(chǎng)和溫度對(duì)每一層上分別進(jìn)行磁記錄。
通過(guò)在寫(xiě)入過(guò)程中調(diào)整激光功率和磁場(chǎng)，可以獨(dú)立記錄兩個(gè) FePT 層，從而在不對(duì)磁層材料進(jìn)行重大改動(dòng)的情況下，將磁區(qū)密度和硬盤(pán)容量提高一倍。
顧名思義，雙層顆粒介質(zhì)有兩個(gè)膜層，每個(gè)膜層的居里溫度和磁晶各向異性各不相同。研究人員說(shuō)，這種介質(zhì)可以使記錄密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò) 10 Tbit / in^2，這意味著 10 片硬盤(pán)的容量可以超過(guò) 120 TB。
研究人員稱，對(duì)熱輔助磁記錄的磁性測(cè)量和模擬表明，HAMR 介質(zhì)可支持三級(jí)記錄，甚至可能支持四級(jí)記錄。
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