IT之家 4 月 8 日消息，根據(jù)近日發(fā)表在《Acta Materialia》上的論文，希捷攜手日本國立材料研究所（NIMS）、日本東北大學(xué)探索設(shè)計了多級（multi-level）堆棧的方法，有望在未來 10-15 年間推出 120TB 以上的硬盤。
熱輔助磁記錄技術(shù)（HAMR）近年來逐漸開始商用，比標(biāo)準(zhǔn)垂直磁記錄（PMR）技術(shù)相比，有望將磁區(qū)密度和硬盤容量提高至少兩倍。
而在該論文中，希捷攜手科研機構(gòu)探索多級熱輔助記錄技術(shù)，而且已經(jīng)證明了在雙層顆粒介質(zhì)上進(jìn)行多級次熱輔助磁記錄（HAMR）的可行性。
研究人員創(chuàng)造了一種新型顆粒介質(zhì)，這種介質(zhì)由兩層 FePt-C 納米顆粒薄膜組成，中間由具有立方晶體結(jié)構(gòu)的 Ru-C 間隔層隔開，能在不同的磁場和溫度對每一層上分別進(jìn)行磁記錄。
通過在寫入過程中調(diào)整激光功率和磁場，可以獨立記錄兩個 FePT 層，從而在不對磁層材料進(jìn)行重大改動的情況下，將磁區(qū)密度和硬盤容量提高一倍。
顧名思義，雙層顆粒介質(zhì)有兩個膜層，每個膜層的居里溫度和磁晶各向異性各不相同。研究人員說，這種介質(zhì)可以使記錄密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 10 Tbit / in^2，這意味著 10 片硬盤的容量可以超過 120 TB。
研究人員稱，對熱輔助磁記錄的磁性測量和模擬表明，HAMR 介質(zhì)可支持三級記錄，甚至可能支持四級記錄。
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