IT之家 4 月 15 日消息，美光在近日的博客中表示，其新一代 9.6 Gbps (9600MHz) LPDDR5X 內(nèi)存現(xiàn)已向移動(dòng)設(shè)備廠商出樣，該內(nèi)存相較上代產(chǎn)品可節(jié)省 4% 的功耗。
美光宣稱(chēng)，該新型內(nèi)存在為 AI 密集型應(yīng)用提供持續(xù)高帶寬的同時(shí)進(jìn)一步提升了能效。
參考IT之家以往報(bào)道，美光首代 9.6 Gbps LPDDR5X 內(nèi)存于去年 10 月出樣，最高容量 16GB，支持高通驍龍 8 Gen 3 平臺(tái)；SK 海力士在 2023 年也推出了同樣速率的 LPDDR5T 內(nèi)存。
根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Statista 在 2023 年發(fā)布的調(diào)查報(bào)告，有 71% 的受訪者表示在下次購(gòu)買(mǎi)智能手機(jī)時(shí)“電池續(xù)航”是首要考慮因素，超過(guò)選擇“耐久性”的 61% 和選擇“相機(jī)質(zhì)量”的 48%。
這顯示電池連續(xù)使用時(shí)長(zhǎng)仍是消費(fèi)者的頭號(hào)痛點(diǎn)，也是手機(jī)制造商需要改進(jìn)的關(guān)鍵領(lǐng)域。而作為手機(jī)整體的一環(huán)，更節(jié)能的內(nèi)存系統(tǒng)可為使用者進(jìn)一步延長(zhǎng)使用時(shí)間。
美光新版 9.6 Gbps LPDDR5X 內(nèi)存仍基于其未引入 EUV 光刻的 1β（1-beta）節(jié)點(diǎn)，其采用了第二代 HKMG 技術(shù)和更好的 JEDEC eDVFSC 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功耗控制，提高電源效率。
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