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臺(tái)積電公布先進(jìn)工藝進(jìn)展:N3P 制程今年下半年量產(chǎn),N3X 下半年接受投片

2024/4/25 14:37:52 來源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:汪淼

IT之家 4 月 25 日消息,臺(tái)積電在 2023 年報(bào)中公布了包括先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝在內(nèi)的業(yè)務(wù)情況,IT之家整理如下:

2nm 家族

  • N2 節(jié)點(diǎn):2025 年開始量產(chǎn)。

3nm 家族

  • N3E 節(jié)點(diǎn):已于 2023 年四季度開始量產(chǎn);

  • N3P 節(jié)點(diǎn):預(yù)計(jì)于 2024 下半年開始量產(chǎn);

  • N3X 節(jié)點(diǎn):面向 HPC 應(yīng)用,預(yù)計(jì)今年開始接獲客戶投片。

5nm 家族

  • N4X 節(jié)點(diǎn):面向 HPC 應(yīng)用,已于 2023 下半年接獲投片;

  • N4P RF 節(jié)點(diǎn):面向射頻應(yīng)用,1.0 版本 PDK 已于 2023 年四季度完成;

  • N5A 節(jié)點(diǎn):面向車用,已于 2023 年接獲投片。

7nm 家族

  • N6e 節(jié)點(diǎn):面向超低功耗,預(yù)計(jì) 2024 年開始生產(chǎn)。

而在先進(jìn)封裝方面,臺(tái)積電已于去年完成 5nm 芯片同 5nm 晶圓的 SoIC CoW 堆疊技術(shù)驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)階段;

采用重布線層的 CoWoS-R 技術(shù)、整合多個(gè)同質(zhì)芯片的 InFO_oS(整合型扇出暨封裝基板)、面向可穿戴設(shè)備的 InFO_M_PoP(多芯片整合型扇出封裝)也均已在去年成功量產(chǎn)。

整體來看,臺(tái)積電去年實(shí)現(xiàn) 1200 萬片 12 英寸晶圓當(dāng)量的晶圓出貨,相較 2022 年的 1530 萬片有著明顯下降;7nm 及以下先進(jìn)制程技術(shù)銷售金額達(dá)整體的 58%,高于 2022 年的 53%。

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