IT之家 5 月 2 日消息，聯(lián)華電子（UMC）今日宣布推出業(yè)界首款 RFSOI 制程技術(shù)的 3D IC 解決方案，在 55nm RFSOI 制程平臺(tái)上使用硅晶元堆疊技術(shù)，在不損耗射頻性能的前提下，可將芯片尺寸縮小 45% 以上。
聯(lián)電表示，RFSOI 是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程，其 RFSOI 3D IC 解 方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆疊時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關(guān)鍵組件，透過垂直堆疊芯片來減少面積，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。
聯(lián)電稱未來將持續(xù)開發(fā)如 5G 毫米波芯片堆疊技術(shù)的解決方案。
IT之家此前報(bào)道，消息稱聯(lián)電斬獲威訊的 3D IC 外包訂單，為即將推出的 iPhone 16 系列的天線模塊生產(chǎn)關(guān)鍵芯片，據(jù)悉產(chǎn)量將達(dá)到數(shù)萬片。
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