IT之家 5 月 7 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)?cè)诮袢盏淖钚卵袌?bào)中稱(chēng)，AI 浪潮對(duì) DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存市場(chǎng)帶來(lái)明顯影響，推動(dòng)該機(jī)構(gòu)調(diào)升本季度兩類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅。
具體而言，TrendForce 原先預(yù)估 2024 年二季度 DRAM 內(nèi)存合約價(jià)上漲 3~8%，現(xiàn)估計(jì)為 13~18%；
而在 NAND 閃存方面，原預(yù)估上漲 13~18%，新預(yù)估為 15~20%，僅 eMMC / UFS 漲幅較低，為 10%。
TrendForce 表示，該機(jī)構(gòu)原預(yù)計(jì)在連續(xù)兩三個(gè)季度的漲價(jià)后，DRAM 內(nèi)存、NAND 閃存需求方接受大幅漲價(jià)的意愿不強(qiáng)。
但來(lái)到四月下旬，存儲(chǔ)業(yè)者完成臺(tái)灣地區(qū)地震后首輪合約價(jià)議價(jià)，漲幅相較預(yù)期擴(kuò)大。究其原因，除買(mǎi)方意欲支撐手中庫(kù)存價(jià)格外，影響更大的是 AI 熱潮對(duì)存儲(chǔ)業(yè)供需雙方帶來(lái)了心理上的轉(zhuǎn)變。
在 DRAM 市場(chǎng)方面，存儲(chǔ)原廠擔(dān)憂(yōu) HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的放量將進(jìn)一步排擠傳統(tǒng)內(nèi)存的供給：
據(jù)IT之家早前報(bào)道，美光表示 HBM3E 內(nèi)存的晶圓量消耗 3 倍于傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存；研報(bào)中稱(chēng)，到 2024 年底三星電子 1αnm 制程整體 DRAM 產(chǎn)能的約六成將由 HBM3e 內(nèi)存占用。
需求方在評(píng)估后，轉(zhuǎn)而考慮在二季度提前為 DRAM 內(nèi)存進(jìn)行備貨，應(yīng)對(duì)三季度起 HBM 內(nèi)存產(chǎn)量提升帶來(lái)的供應(yīng)緊張局勢(shì)。
而在 NAND 閃存產(chǎn)品上，節(jié)能成為 AI 推理服務(wù)器的優(yōu)先考量，北美云服務(wù)業(yè)者擴(kuò)大對(duì) QLC 企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的采用。閃存產(chǎn)品庫(kù)存加速下降，在此背景下部分供應(yīng)方出現(xiàn)了惜售心態(tài)。
不過(guò)研報(bào)中也提到，受限于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品需求復(fù)蘇情況尚不明朗，存儲(chǔ)原廠對(duì)非 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的資本支出仍趨于保守，尤其是仍處于損益平衡點(diǎn)的 DRAM 閃存。
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