IT之家 5 月 10 日消息，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）公眾號(hào)昨日發(fā)布博文，攜手鵬城實(shí)驗(yàn)室組建光電融合聯(lián)合團(tuán)隊(duì)，成功研制出國(guó)內(nèi)首款 2Tb / s 硅光互連芯粒（chiplet），且在國(guó)內(nèi)首次驗(yàn)證了 3D 硅基光電芯粒架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了單片最高達(dá) 8×256Gb / s 的單向互連帶寬。
該團(tuán)隊(duì)在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，研制出硅光配套的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù)，形成了一整套基于硅光芯片的 3D 芯粒集成方案。
經(jīng)系統(tǒng)傳輸測(cè)試，8 個(gè)通道在下一代光模塊標(biāo)準(zhǔn)的 224Gb / s PAM4 光信號(hào)速率下，TDECQ 均在 2dB 以內(nèi)。通過進(jìn)一步鏈路均衡，最高可支持速率達(dá) 8×256Gb / s，單片單向互連帶寬高達(dá) 2Tb / s。
成果將廣泛應(yīng)用于下一代算力系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各類光模塊產(chǎn)品中，為國(guó)內(nèi)信息光電子技術(shù)的率先突圍探索出可行路徑。
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