感謝IT之家網(wǎng)友 華南吳彥祖 的線索投遞！
IT之家 5 月 14 日消息，HBM 負(fù)責(zé)人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界 HBM 技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使 SK 海力士將加速開發(fā)過(guò)程，最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是 HBM4 的 1.4 倍。
除了 HBM4E 外，據(jù)IT之家此前報(bào)道，有消息稱 SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
HBM4 / HBM4E 的開發(fā)“加速過(guò)程”無(wú)疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
相關(guān)閱讀：
《SK 海力士加速 HBM4 內(nèi)存量產(chǎn)，目標(biāo) 2025 下半年推出首批產(chǎn)品》
《SK 海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄，目標(biāo) 2026 年投產(chǎn) HBM4》
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。