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消息稱下一代 DDR6 內(nèi)存速率可達(dá) 17.6Gbps、LPDDR6 內(nèi)存速率可達(dá) 14.4Gbps

2024/5/21 22:02:23 來源：IT之家作者：泓澄（實習(xí)） 責(zé)編：泓澄

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IT之家 5 月 21 日消息，博主 Darkmont 今日放出了 Synopsys 與 JEDEC 關(guān)于下一代 DDR6 / LPDDDR6 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的文檔。

DDR6 內(nèi)存

DDR6 內(nèi)存規(guī)格

▲ 圖源 Darkmont，下同

文檔顯示 DDR6 內(nèi)存將擁有 8.8Gbps 至 17.6Gbps 的內(nèi)存速率，并可能擴展至 21Gbps，標(biāo)準(zhǔn)初稿將于今年發(fā)布，1.0 版規(guī)格明年第二季度公布。

注：DDR5 標(biāo)準(zhǔn)起始速率為 4.8Gbps，最新規(guī)范已擴展至 8.8Gbps，DDR4 標(biāo)準(zhǔn)起始速率為 3.2Gbps。

LPDDR6 帶寬

文檔顯示，LPDDR6 內(nèi)存通道位寬 24bit，起始速率 10.667Gbps、最高定義速率 14.4 Gbps。

▲ 通道示意圖

LPDDR6 內(nèi)存速率將超過 10Gbps，帶寬可達(dá) 28.5-38.4GB/s，并在低功耗與安全性上進(jìn)一步提升。

LPDDR6 內(nèi)存總結(jié)

此外，JEDEC 還在研究 LPDDR6 CAMM2 模組及其在桌面與服務(wù)器平臺的應(yīng)用。

LPDDR6 CAMM2 模組

▲ LPDDR6 CAMM2 模組

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