IT之家 6 月 17 日消息，臺媒《工商時報》報道指，在產能供不應求的情況下，臺積電將針對 3/5nm 先進制程和先進封裝執(zhí)行價格調漲。
其中 3nm 代工部分將漲價 5% 以上，而 2025 年度先進封裝報價也將上漲 10~20%。
在 3nm 制程上，幾乎全部先進芯片設計企業(yè)均有在臺積電下單。臺積電 3nm 整體產能利用率長期接近滿載，這一趨勢將延續(xù)到 2025 乃至 2026 年。
臺積電 5nm 系節(jié)點也持續(xù)接獲 AI 半導體訂單，產能利用率同樣較高。
而在先進封裝領域，產能缺口集中在實現 HBM 內存同 AI 加速器整合的 CoWoS 工藝上。
臺積電 2025 年 CoWoS 產能達 53 萬片，約合月均 4.2 萬片，較目前的 3.3 萬片進一步提升，仍不及全年 60 萬片的市場需求。
IT之家注意到，不同于移動端芯片，AI 加速器主要集中在次先進節(jié)點上，如英偉達 Blackwell GPU 仍使用基于臺積電 5nm 系的 4NP 工藝。
然而，對 AI 加速器而言，CoWoS 及其類似先進封裝工藝卻是剛需。誰能從臺積電拿下更多的先進封裝產能，誰就能在 AI 加速器市場獲得更大的掌握度和話語權。
在這一情形下，臺積電該領域最大客戶、目前占有約半數產能的英偉達同意將部分利潤空間讓與臺積電，以掌握更多的先進封裝產能，拉開同競爭對手的產量差距。
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