IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。
報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。
SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片，縮短兩者距離。
三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場上表示，其 SAINT-D 技術(shù)目前正處于概念驗證階段。
韓媒表示，SAINT-D 技術(shù)有望改變 AI 半導(dǎo)體領(lǐng)域的游戲規(guī)則：
HBM 內(nèi)存與處理器之間目前采用 2.5D 封裝，兩者水平放置，由硅中介層連接。這不僅引入了更大傳輸延遲，同時還影響了電信號質(zhì)量、提升了數(shù)據(jù)移動功耗。
而 SAINT-D 技術(shù)將處理器和 HBM 內(nèi)存的間距降到更低，有利于 AI 加速器芯片進一步釋放性能潛力。
對于三星電子整體而言，由于可提供從先進節(jié)點代工、HBM 內(nèi)存生產(chǎn)到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務(wù)，SAINT-D 的應(yīng)用也可帶動其目前處于劣勢的 HBM 和代工業(yè)務(wù)發(fā)展。
根據(jù)市場研究機構(gòu) MGI 的數(shù)據(jù)，SAINT-D 等先進封裝市場的規(guī)模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元。
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