IT之家 6 月 27 日消息，不同于其他半導(dǎo)體龍頭，美光并不急于為 DRAM 引入 EUV 光刻技術(shù)，因此該公司目前所有量產(chǎn)芯片都是采用 DUV 光刻機(jī)制造。
不過，美光最終還是無法避免使用 EUV 技術(shù)，并于今年開始在其 1γ 工藝上進(jìn)行試生產(chǎn)，該工藝計(jì)劃于明年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn) (HVM) 階段。
美光科技首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在剛剛舉行的電話會(huì)議上表示：“采用極紫外光刻技術(shù)的 1γ DRAM 試產(chǎn)進(jìn)展順利，我們正按計(jì)劃于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?/p>
目前，美光正在日本廣島工廠開發(fā)采用 EUV 的 1γ DRAM 制造工藝，這也是首批 1γ 內(nèi)存的試產(chǎn)地。
Mehrotra 今年 3 月還表示：“我們正在不斷改進(jìn)使用極紫外光刻技術(shù)的生產(chǎn)能力，并在 1α 和 1β 節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了 EUV 和非 EUV 工藝流程的等效良率和質(zhì)量。我們已經(jīng)開始采用 EUV 進(jìn)行 1γ DRAM 試產(chǎn)，并計(jì)劃于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?/p>
除了采用 EUV 技術(shù)的 1γ 和 1δ 生產(chǎn)工藝之外，美光還打算在未來幾年探索 3D DRAM 架構(gòu)以及用于 DRAM 生產(chǎn)的高數(shù)值孔徑 EUV 技術(shù)。
當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 26 日，美光公布了第三財(cái)季（IT之家注：截至今年 5 月 30 日）業(yè)績(jī)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，由于 AI 領(lǐng)域持續(xù)高速發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案需求攀升，使美光數(shù)據(jù)中心收入“如虎添翼”，該財(cái)季總營(yíng)收達(dá)到 68.1 億美元（當(dāng)前約 496.13 億元人民幣），同比更是大增 81.6%，優(yōu)于分析師此前預(yù)期的 66.7 億美元（當(dāng)前約 485.93 億元人民幣）。
展望截至今年 8 月底的第四財(cái)季，美光預(yù)計(jì)營(yíng)收區(qū)間為 74 億-78 億美元（當(dāng)前約 539.11 億- 568.25 億元人民幣），區(qū)間中點(diǎn)基本符合分析師預(yù)期的 75.8 億美元（當(dāng)前約 552.22 億元人民幣）。
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