美光發(fā)布 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存：單條最高 256GB 容量，帶寬增加 39%、延遲改善 40%

IT之家 7 月 16 日消息，美光今日推出為 AI 與 HPC 場景打造的 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存，僅兼容英特爾至強 6 處理器。

美光本次推出 32GB、64GB、96GB、128GB、256GB 五種容量、8800MT/s 速率的 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存，提供標(biāo)準(zhǔn)高度與 TFF 兩種物理形態(tài)。

據(jù)介紹，與傳統(tǒng) RDIMM 內(nèi)存相比，MRDIMM 內(nèi)存可實現(xiàn)：

• 內(nèi)存帶寬最高提升 39%

• 總線效率提升高于 15%

• 延遲改善最高 40%

IT之家注：JEDEC 暫未正式發(fā)布 MRDIMM 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，上述產(chǎn)品目前僅支持英特爾至強 6 處理器。

除美光外，三星也正在開發(fā) 8800MT/s 的 MRDIMM 內(nèi)存，目前已進(jìn)入出樣階段。

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