IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨詢于 7 月 22 日發(fā)布市場研報，透露蘋果公司正醞釀使用 QLC NAND 閃存，最早 2026 年用于 iPhone 產(chǎn)品中，讓其存儲上限達(dá)到 2TB。
QLC 和 TLC
TLC 的全稱是 Triple Level Cell（三層單元），進(jìn)一步增加存儲密度，每個存儲單元存儲三位信息。
TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成為消費(fèi)電子產(chǎn)品和主流 SSD 的有吸引力選擇。
QLC 的全稱是 Quad-level cells（四層單元），每個單元可儲存 4bit 數(shù)據(jù)，跟 TLC 相比，QLC 的儲存密度提高了 33%。
QLC NAND 通常用于入門級消費(fèi)者固態(tài)硬盤和大容量存儲應(yīng)用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之間。
制造商實(shí)施先進(jìn)的錯誤校正機(jī)制、預(yù)留配置（OP）和 Wear leveling 以維持可靠性。
雖然 QLC NAND 可能不適合寫入密集型工作負(fù)載，但它為日常使用提供了充足的存儲容量，使固態(tài)硬碟在更廣泛的用戶范圍內(nèi)觸手可及。
早有曝料蘋果正推進(jìn) QLC NAND
最早曝料信息稱蘋果計(jì)劃在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月報道，蘋果可能會在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。
集邦咨詢預(yù)估認(rèn)為蘋果公司正在加速推進(jìn) QLC NAND 換代，從而將內(nèi)置存儲上限提高到 2TB。
不過需要注意的是，雖然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度卻比后者慢；而且單個單元中存在更多的單元，它們的耐用性較差，這意味著它們能處理的寫入周期比 TLC 少。
迎接大語言模型
蘋果公司還在探索如何使用 NAND 閃存，而不是內(nèi)存來存儲大型語言模型（LLMs），從而能夠在本地運(yùn)行更多 AI 任務(wù)，因此過渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表現(xiàn)。
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