IT之家 7 月 30 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日宣布，其第九代（IT之家注：276 層）3D TLC NAND 閃存量產(chǎn)出貨。
美光表示其 G9 NAND 擁有業(yè)界最高的 3.6GB/s I/O 傳輸速率（即 3600MT/s 閃存接口速率），較 2400MT/s 的現(xiàn)有競品高出 50%，能更好滿足數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載對(duì)高吞吐量的需求。
同時(shí)美光的 G9 NAND 在寫入帶寬和讀取帶寬方面比市場上的其他解決方案分別高出 99% 和 88%，這一 NAND 顆粒層面的優(yōu)勢將為固態(tài)硬盤和嵌入式存儲(chǔ)方案帶來性能與能效的提升。
此外，與前代美光 NAND 閃存一樣，美光 276 層 3D TLC 顆粒采用了 11.5mm × 13.5mm 的緊湊封裝規(guī)格，可減少 28% 的 PCB 面積占用，為更多的設(shè)計(jì)方案創(chuàng)造了可能。
美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：
美光 G9 NAND 技術(shù)的量產(chǎn)彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新方面的實(shí)力。
與市場上的競品相比，美光 G9 NAND 的密度高出至多 73%，實(shí)現(xiàn)了更緊湊、更高效的存儲(chǔ)解決方案，為消費(fèi)者和企業(yè)帶來顯著益處。
美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：
美光已經(jīng)連續(xù)第三代引領(lǐng)業(yè)界，推出創(chuàng)新、領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)。
集成美光 G9 NAND 的產(chǎn)品將具備顯著的性能優(yōu)勢，該技術(shù)將成為存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)，為所有終端市場的客戶帶來價(jià)值。
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