IT之家 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響。
三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn)，對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進入量產(chǎn)階段。
然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達 PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點。
明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。
根據(jù)三星電子此前的規(guī)劃，平澤 P4 工廠將成為一個綜合性的半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，其包含四個階段，可制造邏輯、NAND、DRAM 等產(chǎn)品，
其中 P4 工廠的第一階段用于 NAND 生產(chǎn)、第二階段用于邏輯代工、第三和第四階段用于 DRAM 制造。
不過由于晶圓代工訂單數(shù)量不足，而以 HBM 為代表的 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品需求火爆，三星電子已于上半年調(diào)整了平澤 P4 工廠投資計劃，先行建設(shè) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線，延后邏輯代工線建設(shè)。
三星電子目前在平澤 P4 工廠第一階段的 NAND 產(chǎn)能為每月 10000 片晶圓，此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標(biāo)。
但 V9 QLC NAND 并未及時得到量產(chǎn)許可，導(dǎo)致有內(nèi)部人士認為應(yīng)該將第一階段的部分建設(shè)面積用于前景更明確的 DRAM 生產(chǎn)。
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