IT之家 8 月 8 日消息，比利時微電子研究中心 imec 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布，在其與 ASML 合作的 High NA EUV 光刻實(shí)驗(yàn)室首次成功利用 High NA EUV 光刻機(jī)曝光了邏輯和 DRAM 的圖案結(jié)構(gòu)。
在邏輯圖案方面，imec 成功圖案化了單次曝光隨機(jī)邏輯機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了 9.5nm 密集金屬線（IT之家注：對應(yīng) 19nm Pitch），將端到端間距尺寸降低至 20nm 以下：
不僅如此，imec 實(shí)現(xiàn)了中心間距 30nm 的隨機(jī)通孔，展現(xiàn)了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性：
此外，imec 通過 High NA EUV 光刻機(jī)構(gòu)建了 P22nm 間距的二維特征，顯示了新一代光刻技術(shù)在二維布線方面的潛力：
而在 DRAM 領(lǐng)域，imec 成功利用單次曝光圖案化了集成 SNLP（Storage Node Landing Pad）和位線外圍的 DRAM 設(shè)計(jì)，展現(xiàn)了 High NA EUV 減少曝光次數(shù)的能力：
imec 總裁兼首席執(zhí)行官 Luc Van den hove 表示：
這些結(jié)果證實(shí)了 High NA EUV 光刻技術(shù)長期以來所預(yù)測的分辨率能力，一次曝光即可實(shí)現(xiàn) 20nm 以下間距的金屬層。
因此 High NA EUV 將對邏輯和存儲器技術(shù)的尺寸擴(kuò)展起到重要作用，而這正是將路線圖推向 "埃米時代" 的關(guān)鍵支柱之一。
這些早期演示之所以能夠?qū)崿F(xiàn)，要?dú)w功于 ASML-imec 聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的建立，它使我們的合作伙伴能夠加快將 High NA 光刻技術(shù)引入制造領(lǐng)域。
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