IT之家 8 月 10 日消息，超薄晶圓因其高集成度、低功耗和優(yōu)異性能，成為當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵材料之一。
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入 2.5D / 3D 時(shí)代，晶圓的厚度越來(lái)越薄，對(duì)設(shè)備精度、工藝控制等方面提出了極高的要求。
晶盛機(jī)電官方今日宣布，旗下研究所研發(fā)的新型 WGP12T 減薄拋光設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定加工 12 英寸 30μm 超薄晶圓（IT之家注：12 英寸晶圓厚度通常約為 775 μm）。
據(jù)稱(chēng)，該技術(shù)的成功突破標(biāo)志著晶盛機(jī)電在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域再次邁出重要一步，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和自主可控提供了有力支撐。
晶盛機(jī)電表示，研發(fā)團(tuán)隊(duì)解決了超薄晶圓減薄加工過(guò)程中出現(xiàn)的變形、裂紋、污染等難題，真正實(shí)現(xiàn)了 30μm 超薄晶圓的高效、穩(wěn)定的加工技術(shù)。此次再次突破行業(yè)領(lǐng)先的超薄晶圓加工技術(shù)，將為我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供更先進(jìn)、更高效的晶圓加工解決方案。
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