IT之家 8 月 19 日消息，韓媒 The Elec 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 16 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子將于今年底啟動(dòng)下代 HBM4 內(nèi)存的流片（IT之家注：Tape-out），為明年底的 12 層堆疊 HBM4 產(chǎn)品量產(chǎn)做準(zhǔn)備。
考慮到從流片到測(cè)試產(chǎn)品的推出還需要 3 到 4 個(gè)月的時(shí)間，三星電子的 HBM4 12H 樣品預(yù)計(jì)最早明年初亮相。三星電子此后將對(duì)樣品進(jìn)行功能驗(yàn)證并改進(jìn)設(shè)計(jì)和工藝，改進(jìn)后的樣品將向主要客戶出樣。
韓媒在報(bào)道中確認(rèn)，三星電子將在 HBM4 內(nèi)存上采用 1c nm 制程 DRAM 顆粒和 4nm 制程邏輯芯片，以提升產(chǎn)品能效表現(xiàn)，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。
三星電子的這一決定也對(duì)其在 HBM 市場(chǎng)上的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士產(chǎn)生了影響：
SK 海力士 HBM 開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的一位匿名人士稱(chēng)，SK 海力士原計(jì)劃在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 顆粒，但在得知三星電子的 HBM4 方案后，SK 海力士?jī)?nèi)部正就其 HBM4 產(chǎn)品是否轉(zhuǎn)向 1c nm DRAM 進(jìn)行討論。
而在 HBM4 內(nèi)存的邏輯芯片部分，SK 海力士預(yù)計(jì)將使用臺(tái)積電提供的 5nm 或 12nm 方案。
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