IT之家 8 月 21 日消息，隨著 ROG、ROG Strix X870 (E) 主板的發(fā)布，華碩也一道推出了 NitroPath DRAM 技術(shù)。該技術(shù)可為高端 DDR5 內(nèi)存主板提供更強大的內(nèi)存性能。
華碩表示，NitroPath DRAM 技術(shù)通過其獨有的布局布線提高內(nèi)存速度。這種尖端設(shè)計通過縮短金手指引腳和優(yōu)化主板內(nèi)的信號通路來減少噪音干擾。
信號傳輸更流暢、噪音和反射更少，意味著用戶可在采用 NitroPath DRAM 的主板上實現(xiàn)更高的內(nèi)存頻率，至多可達額外 400MT/s。此外這一設(shè)計即使在嚴苛負載下也能提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
不僅如此，NitroPath DRAM 也提升了插槽牢固程度，使內(nèi)存槽擁有更優(yōu)秀的抗側(cè)向力能力和保持力、更抗內(nèi)存安裝過程產(chǎn)生的磨損，這對需要升級或更換內(nèi)存條的發(fā)燒友而言具有明顯價值。
IT之家獲悉，華碩在 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 兩款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技術(shù)。
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