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IT之家 8 月 23 日消息，綜合韓媒 The Elec 與 Hankyung 報道，三星電子負(fù)責(zé)晶圓代工 PDK 開發(fā)團(tuán)隊的高級副總裁 Lee Sun-Jae 昨日在西門子 EDA 論壇 2024 首爾場上介紹了 BSPDN 背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的收益情況。
Lee Sun-Jae 表示，相較于采用傳統(tǒng) FSPDN 供電方式的 2nm 工藝，采用 BSPDN 的 SF2Z 節(jié)點可明顯改善電路壓降問題。具體到數(shù)據(jù)上，其可減少約 17% 芯片面積、提升約 15% 能效、增強(qiáng)約 8% 性能。
參考IT之家此前報道，三星電子在三星代工論壇 2024 北美場上公布了最新先進(jìn)制程路線圖：初版 2nm 制程 SF2 定于 2025 年量產(chǎn)，改進(jìn)版 SF2P 落在 2026 年，而 SF2Z 則將于 2027 年量產(chǎn)。
對于 SF2P，Lee Sun-Jae 則稱三星電子計劃在該節(jié)點上實現(xiàn)較 SF2 工藝 12% 的性能提升、25% 的功耗降低、8% 的面積減少。
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